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  • 美國Laurell濕法刻蝕顯影機 EDC-650Mz-8NPP
美國Laurell濕法刻蝕顯影機 EDC-650Mz-8NPP

美國Laurell濕法刻蝕顯影機 EDC-650Mz-8NPP

  • 勻膠顯影機(英文名:Developing) 產地:美國一、產品概述: 650型勻膠顯影機適應于半導體、化工材料、硅片、晶片、基片、導電玻璃等工藝,制版的表面顯影。

產品詳情

勻膠顯影機(英文名:Developing)
產地:美國

美國Laurell濕法刻蝕顯影機 EDC-650Mz-8NPP(圖1)

一、產品概述:
   650型勻膠顯影機適應于半導體、化工材料、硅片、晶片、基片、導電玻璃等工藝,制版的表面顯影。一般勻膠顯影機由動力系統、顯影液槽及噴液管、水洗槽、擠壓 (水)輥、涂膠槽等部分組成。


二、勻膠顯影機工作原理:
顯影系統具有可編程閥,它可以使單注射器試劑滴膠按照蝕刻、顯影和清洗應用的要求重復進行,如沖洗(通常是去離子水或溶劑),然后干燥(通常是氮氣)等最后的處理步驟。采用此序貫閥門技術的晶圓片和管道在完全干燥的環境中開通和關閉處理過程。隔離和獨立的給水器可處在靜態的位置還可以蓋內調節。勻膠顯影機還有可選擇的動態線性或徑向滴膠的特性。


三、勻膠顯影機主要性能指標:    
1、腔體尺寸:12.5英寸 (318 毫米)
2、Wafer&芯片:直徑8英寸(200毫米)的晶圓片或者7x7英寸(175毫米)的方片;
3、非真空托盤:聚丙烯材質非真空托盤,可承載2、3英寸及200毫米的晶圓片-并帶有背面清洗功能;
3、轉動速度:0-12,000rpm,
5、馬達旋涂轉速:穩定性能誤差 < ±1%;
6、工藝時間設定:1-5999.9 sec/step 0.1 精度;
7、高精度數碼控制器:PLC控制,設置點精度小于0.006%;
8、程序控制:可存儲20個程序段,每個程序段可以設置51步不同的速度狀態;
9、分辨率:分辨率小于0.5轉/分,可重復性小于±0.5轉/分,美國國家標準技術研究院(NIST)認證過的,并且無需再校準!]
10、腔體開關蓋板:透明ECTFE材質圓頂蓋板,便于實時進行可視化操作;
11、腔體材質說明:用聚丙烯材質制成的帶有聯動傳感觸點的合瓣式艙體;
12、配套分析軟件:SPIN3000操作分析軟件;
13、配套真空泵系統:無油型 220~240伏交流,50/60赫茲;


四、適用工藝(包括但不限于下述濕法制程)
光刻膠顯影(KrF/ArF)
SU8厚膠顯影
顯影后清洗
PostCMP清洗
光罩去膠清洗
光刻膠去除
金屬Lift-off處理
刻蝕微刻蝕處理



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