SAL-3000 ALD原子層沉積系統
SAL3000是一款適用于研究型的ALD原子層沉積設備，該設備最多可搭載6路前驅體，適用于4英寸（φ100mm）以下基底材料的鍍膜。該設備在保持了優異的膜厚分布外，還可進一步通過改變鍍膜方向，來進一步提高鍍膜的質量。并且該設備還可搭載互鎖腔體（Load lock Chamber）和手套箱來沉積需要氣氛保護的樣品。
SAL-3000 SAL3000+Load lock chamber
性能及特點：
1.鍍膜質量高
·膜厚均勻性≤3% @ 100mm
·對于內孔、凹槽與高深寬比結構具有良好的沉積均勻性；
·膜厚可準確控制達一個原子層；
·大面積制程可達到無孔洞薄膜（Pin Hole free）
·極高的重復性及穩定性
·材料缺陷密度低
·可成長非晶型或結晶薄膜（選擇溫度）
2.兩種成膜方向可選
·可選擇將薄膜沉積在基底上表面（SAL-3000D）和基底下表面（SAL-3000U），薄膜沉積在基底下表面可降低顆粒附著基底的風險。
3. 可搭載互鎖腔體（Load lock chamber）和手套箱
4.圖形用戶界面，觸控操作，簡單易用，可存儲30多種鍍膜方案；
5.主機與控制機箱一體化設計；
6. 可搭配多種配件：
干式真空泵，臭氧發生器，尾氣處理裝置，800℃基底加熱器，200℃前驅體加熱器等，退火設備等；
